本發(fā)明屬于微納制造與光電子器件相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,其公開了一種硫化鉬
鈣鈦礦復(fù)合柔性光探測(cè)陣列器件及其制備方法,其制備方法包括以下步驟:(1)采用化學(xué)氣相沉積工藝制備連續(xù)硫化鉬薄膜;(2)將連續(xù)硫化鉬薄膜刻蝕成多個(gè)硫化鉬薄膜塊以形成硫化鉬薄膜方形陣列,并在每個(gè)硫化鉬薄膜塊上制備金屬對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記;(3)將所述硫化鉬薄膜方形陣列及所述金屬對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記同步轉(zhuǎn)移至柔性基底表面上;(4)在所述硫化鉬薄膜的表面制備金屬電極,并在所述硫化鉬薄膜方形陣列的外側(cè)形成疏水層;(5)將鈣鈦礦溶液涂覆在所述硫化鉬薄膜的表面以形成鈣鈦礦薄膜陣列,并進(jìn)行封裝,直至制備完成。本發(fā)明提高了質(zhì)量,靈活性及穩(wěn)定性較好,響應(yīng)速度快。
聲明:
“硫化鉬鈣鈦礦復(fù)合柔性光探測(cè)陣列器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)