晶體生長(zhǎng)裝置由真空容器(10)、加熱燈(12)、對(duì)加熱燈(12)進(jìn)行控制的燈控制器(13)、氣體通入口(14)、調(diào)節(jié)氣體流量的流量調(diào)節(jié)器(15)、測(cè)量襯底溫度的高溫計(jì)(19)、將乙硅烷等氣體供到真空容器(10)的供氣單元(30)組成。橢圓偏振光譜測(cè)量裝置由光源(20)、起偏器(21)、調(diào)制器(22)、分析器(24)、分光儀/檢測(cè)單元(25)以及計(jì)算Ψ、△的分析控制裝置(26)組成。在去除襯底上的化學(xué)氧化膜時(shí),通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)橢圓偏振光譜測(cè)量,來(lái)識(shí)別氧化膜覆蓋襯底面的phase 1和襯底的一部分已經(jīng)露出來(lái)的phase 2,從而向各phase適當(dāng)?shù)靥峁┖屯９怏w。