本發(fā)明公開了一種重?fù)缴橐r底上外延層過渡區(qū)的控制方法。本發(fā)明采用化學(xué)氣相沉積技術(shù),在N型重?fù)缴楣枰r底上分兩次生長輕摻的薄硅外延層。即生長完第一層本征外延層后,降至870-930℃取出,此期間通入HCL腐蝕基座除去記憶效應(yīng),腐蝕完成后,再把該片在870-930℃下裝爐,重新生長余下的外延層。經(jīng)用擴(kuò)展電阻分析儀對(duì)用常規(guī)方法和本發(fā)明的方法制得的外延層進(jìn)行檢驗(yàn)、比較,發(fā)現(xiàn)本發(fā)明所述方法制得的外延層過渡區(qū)陡峭,外延層的電阻率的均勻性很好。
聲明:
“重?fù)缴橐r底上外延層過渡區(qū)的控制方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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