本發(fā)明公開了一種在化學(xué)機(jī)械拋光半導(dǎo)體圓片(100、200)期間確定終點(diǎn)的方法。該方法包括步驟:在待拋光的第一層(106、206)上,沉積第二層(108、208),第一層(106、206)的物理特性不同于第二層(108、208)的物理特性。此后,利用化學(xué)機(jī)械拋光拋光圓片(100、200)。因?yàn)楦鲗拥奈锢硖匦圆煌?所以可以檢測(cè)物理特性的變化,而且可以根據(jù)檢測(cè)到的變化,確定終點(diǎn)。此外,還公開了一種用于化學(xué)機(jī)械拋光的半導(dǎo)體圓片。
聲明:
“確定終點(diǎn)的方法以及半導(dǎo)體圓片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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