本發(fā)明公開了一種全碳結(jié)構(gòu)的光調(diào)制太赫茲吸收器件的制備方法,此方法利用簡單的化學組裝與還原、分子晶體輔助轉(zhuǎn)移得到獨立支撐
石墨烯納米材料,通過燒結(jié)溫度和時間調(diào)控,得到了缺陷可控的石墨烯薄膜結(jié)構(gòu)。此薄膜具有良好的太赫茲透過性或者屏蔽性。將此不同結(jié)構(gòu)的薄膜聚酰亞胺層層組裝形成夾心結(jié)構(gòu),置于太赫茲光下,隨著表面滴加分子濃度的增加,太赫茲透射光譜峰位會隨之變化,因此可以制備成太赫茲分子檢測器件,用于檢測分子殘留;同時雙層石墨烯納米膜層皆可以進行光學調(diào)控,可用來檢測光學強度的變化。此外,利用兩種刻蝕方法相結(jié)合,不同尺度增加比表面積,在同樣分子含量檢測的滴加下,其對材料電學性質(zhì)的改變會更大,太赫茲信號改變也會更大。
聲明:
“全碳結(jié)構(gòu)的光調(diào)制太赫茲吸收器件的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)