本發(fā)明公開(kāi)了一種電極合成材料及其制配方法，以還原氧化石墨烯（rGO）為基底，以鉬酸銨為鉬源，以硫脲為硫源，在還原氧化石墨烯（rGO）表面生長(zhǎng)MoS₂，形成MoS₂?rGO復(fù)合材料，并將MoS₂?rGO復(fù)合材料涂到GCE電極表面形成復(fù)合電池負(fù)極材料層（MoS2?rGO）。本發(fā)明通過(guò)制備MoS₂?rGO復(fù)合物，并研究其電化學(xué)性能，確定rGO的復(fù)合使得MoS₂能形成具有良好分散性的花狀結(jié)構(gòu)；同時(shí)電化學(xué)測(cè)試表明rGO的復(fù)合不僅提高了MoS₂的導(dǎo)電性，還增強(qiáng)了MoS₂的電化學(xué)穩(wěn)定性。本發(fā)明將MoS₂?rGO復(fù)合物制作成修飾電極，首次應(yīng)用于GA?AgNPs的電化學(xué)研究及檢測(cè)。由于MoS₂對(duì)AgNPs良好的吸附性以及MoS₂?rGO/GCE較大的電化學(xué)活性面積，使得MoS₂?rGO/GCE對(duì)GA?AgNPs的電化學(xué)信號(hào)表現(xiàn)出明顯的增強(qiáng)作用。