本發(fā)明公開了一種IGBT用硅襯底拋光片的制備方法。該方法依次包括以下工序:硅單晶生長→晶體檢測→滾磨→多線切割→倒角→雙面研磨→化學(xué)腐蝕→POLY薄膜生長→中間檢測→化學(xué)機械拋光→清洗→出廠檢驗,其中,在拉晶過程中采用水平磁場,磁場強度為1000?5000高斯,磁場形狀為馬鞍形,晶轉(zhuǎn)為5?15rpm,堝轉(zhuǎn)為0.1?3rpm,晶體生長時控制液面位置波動范圍為±0.5mm;在倒角工序中,分別使用1000#倒角輪倒角2次,3000#倒角輪倒角2次,最終倒角幅長控制在500?700μm;在POLY薄膜生長工序中,載具轉(zhuǎn)速為0.5?3rpm,LPCVD的工藝溫度區(qū)間為600?630℃,LPCVD的氣體流量區(qū)間為50?200mL/min。采用本發(fā)明能夠獲得晶體微缺陷極少、幾何參數(shù)高度精密的IGBT用8英寸硅襯底拋光片。
聲明:
“IGBT用硅襯底拋光片的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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