本發(fā)明公開的屬于
太陽能電池技術領域,具體為一種新型背腐蝕刻邊工藝,該新型背腐蝕刻邊工藝包括如下步驟:S1:制絨:對晶硅片表面進行預清洗并干燥,然后采用酸液對晶硅片進行腐蝕,將多晶表面做成凹坑狀,得到陷光性能良好的絨面;S2:擴散;S3:背腐蝕;S4:鍍減反射膜:在晶硅片的表面采用等離子體增強化學的氣相沉積法沉積減反射膜;S5:絲網(wǎng)印刷金屬化;S6:燒結:把晶硅片放入燒結爐中,燒結溫度控制在300?900攝氏度,燒結時間為58?62秒,S7:分類檢測、測試、包裝,提高了電池的效率,節(jié)省了化學原料,邊緣無刻邊,背面腐蝕均勻,避免氣泡和腐蝕不均勻帶來的影響,大大降低了破片率,工藝簡單,成本低廉。
聲明:
“新型背腐蝕刻邊工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)