本發(fā)明提供了一種一維單晶鍺基
石墨烯等離激元納米結(jié)構(gòu)的制備方法,步驟如下:(1)在襯底上利用磁控濺射的方法濺射金納米薄膜;(2)在步驟(1)得到的襯底上采用化學(xué)氣相沉積生長摻雜鍺單晶納米線;(3)在步驟(2)得到的摻雜鍺單晶納米線表面采用化學(xué)氣相沉積直接生長高質(zhì)量石墨烯,獲得一維鍺基石墨烯表面等離激元納米結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過化學(xué)氣相沉積法在鍺單晶納米線表面直接生長石墨烯,避免了傳統(tǒng)的石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移過程,最大程度上減小了轉(zhuǎn)移過程對石墨烯載流子遷移率的影響,增強了鍺與石墨烯之間中紅外表面等離激元的耦合。本發(fā)明所提供的材料具有強烈且可調(diào)的表面等離激元效應(yīng),有望在分子指紋檢測、中紅外傳感、光子
芯片等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
聲明:
“一維單晶鍺基石墨烯等離激元納米結(jié)構(gòu)的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)