本發(fā)明涉及一種金納米井陣列電極及其制備方法,其包括有金納米管陣列主體、金納米柱陣列底片、集電體,所述金納米管陣列主體是在??字睆綖?00?800nm的聚碳酸酯濾膜上化學(xué)沉積金制成的,金納米管的壁厚為50?200nm;金納米柱陣列底片是在??字睆綖?0?200nm的聚碳酸酯濾膜上化學(xué)沉積金制成的;金納米柱陣列底片通過導(dǎo)電膠粘結(jié)固定在集電體上,金納米管陣列主體平鋪覆蓋在金納米柱陣列底片上,周邊用絕緣膠帶密封固定在集電體上,得到金納米井陣列電極。本發(fā)明組成結(jié)構(gòu)簡單、合理,連接可靠、穩(wěn)定,具有三維結(jié)構(gòu),表面積大,能夠?qū)崿F(xiàn)檢測體系的微型化和集成化,有效避免不同材質(zhì)導(dǎo)致的
電化學(xué)響應(yīng)信號的干擾。
聲明:
“金納米井陣列電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)