本發(fā)明屬于薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域，涉及碳基薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種Cr摻雜ta?C導(dǎo)電耐蝕碳基薄膜及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明的Cr摻雜ta?C導(dǎo)電耐蝕碳基薄膜為CrC納米晶鑲嵌的四面體非晶碳母相結(jié)構(gòu)，由Cr過渡層、Cr梯度含量摻雜ta?C過渡層和Cr摻雜的ta?C層組成，薄膜中Cr的摻雜含量為9.6～23.2at.％；所述薄膜采用磁過濾電弧離子鍍和磁控濺射復(fù)合沉積技術(shù)在金屬基底上沉積制得。本發(fā)明的Cr摻雜ta?C薄膜具有高sp3碳?碳鍵含量、低殘余內(nèi)應(yīng)力、高導(dǎo)電性和高耐電化學(xué)腐蝕性，可應(yīng)用于燃料電池金屬雙極板、電化學(xué)有機污水處理薄膜電極和電化學(xué)重金屬離子檢測薄膜電極等領(lǐng)域。