本實(shí)用新型公開(kāi)了一種改善納米鍍膜設(shè)備等離子體均勻性裝置,屬于真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。該裝置中,高頻電源與反應(yīng)腔室連接,電極與高頻電源連接并安裝于反應(yīng)腔室內(nèi)部,化學(xué)單體管路和工藝氣體管路與反應(yīng)腔室連通;化學(xué)單體蒸汽和工藝氣體可通過(guò)管路通入反應(yīng)腔室,通過(guò)高頻電源電極放電產(chǎn)生等離子體進(jìn)行化學(xué)氣相沉積,形成聚合物涂層。本實(shí)用新型通過(guò)電極邊緣采用邊緣卷圓或者在電極的邊緣拼接、焊接、鉚接、螺紋裝配圓管、元棒或者定制型材的方法,可消除電極邊緣電場(chǎng)較強(qiáng)造成的等離子體密度較大的現(xiàn)象;同時(shí)采用本實(shí)用新型設(shè)計(jì)的電極經(jīng)等離子體探針檢測(cè),放電電場(chǎng)均勻度大幅改善,同批次工件鍍膜厚度更加均勻,鍍膜質(zhì)量顯著提高。
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“改善納米鍍膜設(shè)備等離子體均勻性裝置” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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