本發(fā)明公開一架整片晶圓基片上硅晶體缺陷自動垂直刻蝕儀,包括:機殼(1),其上設(shè)置有控制面板(2)及升降控制鍵(3);刻蝕槽,包括第一刻蝕槽(4)和第二刻蝕槽(5),分別對稱設(shè)置于刻蝕機械支架的兩側(cè),刻蝕槽為垂直式;刻蝕機械支架,包括水平移動支架和晶圓樣品支架(8),水平移動支架包括滑軌(6)以及滑塊(7),晶圓樣品支架(8)連接于滑塊(7)兩側(cè);滑塊(7)與升降裝置(9)相連接。所述刻蝕儀通過對整片晶圓基片采用垂直懸掛式刻劃以及自動水平移動,有效去除化學(xué)刻蝕垃圾,避免引入人工缺陷假象,從而大大提高對硅晶體缺陷失效分析的準確性,并通過雙槽設(shè)計提高硅晶體缺陷失效分析的快速性。
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