本發(fā)明涉及一種樣品去層次方法,用于半導(dǎo)體
芯片的失效分析,包括以下步驟:步驟S1、所述半導(dǎo)體芯片具有一目標(biāo)區(qū)域;步驟S2、研磨所述半導(dǎo)體芯片,并停止于位于所述層間介質(zhì)層上表面的所述金屬層;步驟S3、形成一保護(hù)膜層,所述保護(hù)膜層覆蓋所述目標(biāo)區(qū)域的正上方的所述金屬層的上表面;步驟S4、繼續(xù)研磨所述半導(dǎo)體芯片,去除位于所述保護(hù)膜層下方的所述金屬層之外的所述金屬層;步驟S5、去除所述保護(hù)膜層;步驟S6、去除所述金屬層;步驟S7、去除所述半導(dǎo)體襯底上表面的其余物質(zhì),露出所述半導(dǎo)體襯底。其優(yōu)點(diǎn)在于,設(shè)置一層保護(hù)膜層,避免出現(xiàn)化學(xué)試劑與金屬層反應(yīng),保障半導(dǎo)體襯底不被損傷以及污染;有效提高失效分析的準(zhǔn)確性,提高工作效率。
聲明:
“樣品去層次方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)