本發(fā)明涉及一種垂直
石墨烯/摻硼金剛石傳感電極的制備方法,涉及新型電子材料工藝技術,采用電子輔助熱絲化學氣相沉積方法制備得到摻硼金剛石,然后通過金作為催化物,在摻硼金剛石表面采用等離子體噴射化學氣相沉積的方法生長石墨烯,從而得到垂直石墨烯/摻硼金剛石傳感電極。本發(fā)明的優(yōu)點是:制備得到的高質量摻硼金剛石薄膜和石墨烯層保證了垂直石墨烯/摻硼金剛石復合薄膜的質量,并且該復合薄膜結構緊密,不易脫落,垂直石墨烯與摻硼金剛石的結合可以充分發(fā)揮二者的優(yōu)勢和協(xié)同作用,垂直生長的石墨烯相比平鋪的石墨烯具有更大的有效比表面積,選取適當尺寸的垂直石墨烯/摻硼金剛石復合薄膜作為傳感電極可直接用于生物分子的檢測。
聲明:
“垂直石墨烯/摻硼金剛石傳感電極的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)