本發(fā)明公開了一種銪、銩共摻雜的鋁硅酸鍶電子俘獲型光存儲材料及其制備方法,所述電子俘獲型光存儲材料的化學(xué)式為Sr
1?y?xAl
2Si
2O
8:yEu
2+,xTm
3+,其中,0.001≤y≤0.04,0.005≤x≤0.08。本發(fā)明所述的制備方法為高溫固相法,原料簡單易得,價(jià)格低廉,適用于批量大規(guī)模生產(chǎn)。本發(fā)明制備的光存儲材料與以往材料相比,性能極大提升,在光存儲性能測試中,共摻雜樣品的光激勵發(fā)光初始強(qiáng)度與單摻雜Eu
2+相比均有明顯提高,既適用于新型在近紫外被寬帶激發(fā)的白光LED藍(lán)光熒光粉,也是一種高性能的光信息存儲材料,適于在醫(yī)療檢測、電子通訊、電子顯微鏡照相和信息存儲等多個應(yīng)用領(lǐng)域。
聲明:
“銪、銩共摻雜的鋁硅酸鍶電子俘獲型光存儲材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)