本申請(qǐng)公開了一種SiC/SiO2界面結(jié)構(gòu)、SiC MOS器件及其制備方法,涉及金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的制備領(lǐng)域。本申請(qǐng)的可以有效抵抗漏電流的SiC/SiO2界面結(jié)構(gòu),是通過在SiC上生長O終端的SiO2薄膜,得到具有較大導(dǎo)帶臺(tái)階的界面結(jié)構(gòu)。經(jīng)計(jì)算分析,無缺陷的O終端界面結(jié)構(gòu)是可以有效抵抗漏電流的高質(zhì)量界面。本申請(qǐng)的SiC/SiO2界面結(jié)構(gòu)應(yīng)用于SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET器件,可以提高器件性能。本申請(qǐng)的SiC/SiO2界面結(jié)構(gòu)可以采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)結(jié)合硅氧化工藝進(jìn)行制備,結(jié)構(gòu)和操作工藝簡單,易于控制。
聲明:
“SiC/SiO2界面結(jié)構(gòu)、SiCMOS器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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