本發(fā)明涉及一種核殼式納米線陣列拉曼增強(qiáng)基底的制備方法。該方法是將清洗后的鋁片進(jìn)行兩次陽(yáng)極氧化得到多孔陽(yáng)極
氧化鋁(AAO)模板,再以該模板為陰極,在金屬鹽溶液中進(jìn)行交流電沉積,沉積結(jié)束后,取沉積后模板,用去離子水清洗干凈,然后再使用堿溶液去除AAO模板,制備出具有厚厚基底的納米線陣列,之后在上述獲得的陣列納米線表面光化學(xué)沉積另外一種金屬溶液,通過控制該金屬溶液的濃度從而得到不同厚度的核殼式納米線陣列,用該法制得的核殼式納米線陣列的特點(diǎn)是納米線陣列中的納米線表面上制備有納米顆粒,能夠作為基底增強(qiáng)激光拉曼散射,構(gòu)成核殼式納米陣列拉曼散射增強(qiáng)基底。本發(fā)明制備的核殼式納米線陣列不會(huì)破壞檢測(cè)物質(zhì),增強(qiáng)效果大大高于單純的納米線,可獲得較強(qiáng)的拉曼光譜。
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“核殼式納米線陣列拉曼散射增強(qiáng)基底制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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