本發(fā)明提供了一種納流控場效應管及其制備方法和應用,涉及納流控與
電化學技術領域,包括:納米孔道內表面帶有正電荷的第一納米多孔膜、納米孔道內表面帶有負電荷的第二納米多孔膜和電極;第二納米多孔膜的兩個表面分別結合第一納米多孔膜,或,第一納米多孔膜的兩個表面分別結合第二納米多孔膜,構建具有NPN或PNP結構的納流控場效應管。本發(fā)明利用納米通道的離子選擇性傳輸特性,并結合門電位控制來改變部分納米通道表面電荷密度來實現低門電位條件下的信號放大,解決了現有場效應管無法實現高離子強度下檢測問題,并成功實現納米通道離子電流信號的Sigmoid響應,可做為可控的單元組件用于后續(xù)的邏輯控制和人工神經網絡的開關組件。
聲明:
“納流控場效應管及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
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