本發(fā)明公開(kāi)了一種金摻雜硅納米錐陣列氣敏傳感器的制備方法,采用納米球模板和金屬輔助化學(xué)刻蝕相結(jié)合的方法在硅基底上刻蝕出硅納米錐陣列,利用磁控濺射法在納米錐之間摻入金顆粒,通過(guò)本發(fā)明的方法制備的金摻雜的硅納米錐陣列氣敏傳感器,可以形成具有較大比表面積和氣體擴(kuò)散通道的結(jié)構(gòu),金顆粒對(duì)氣敏性能有一定的提升。并且,所制備的金摻雜硅納米錐陣列氣敏傳感器元件可在室溫下檢測(cè)超低濃度的氮氧化物氣體,具有高靈敏度、良好選擇性的優(yōu)點(diǎn)。該方法具有設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、可重復(fù)性好、成本低廉等優(yōu)點(diǎn),具有重要的實(shí)踐意義和研究意義。
聲明:
“金摻雜硅納米錐陣列氣敏傳感器的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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