本發(fā)明提供一種利用HIPIMS方法結(jié)合鍍膜智能監(jiān)控加氣系統(tǒng)制備化合物薄膜材料的方法,運用高功率脈沖磁控物理氣相沉積方法制備高質(zhì)量化合物薄膜,利用智能監(jiān)控加氣系統(tǒng)檢測真空腔體內(nèi)等離子體密度與分布情況、等離子體能量以及各工藝氣體的比例變化,自動調(diào)控腔體內(nèi)工藝氣體的加入量以及加入量的變化速度,結(jié)合HIPIMS技術(shù)濺射各類靶材,本發(fā)明方法發(fā)揮高功率磁控濺射的成膜特點,且通過引入智能監(jiān)控加氣系統(tǒng),采用適當?shù)墓に嚳芍苽湫阅軆?yōu)良的所需化學計量比的高質(zhì)量化合物薄膜材料,解決現(xiàn)有的反應濺射鍍膜中因靶材表面“毒化”而導致的濺射效率下降,靶材表面“毒化”打火,而成膜質(zhì)量下降的問題。
聲明:
“利用HIPIMS方法結(jié)合鍍膜智能監(jiān)控加氣系統(tǒng)制備化合物薄膜材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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