公開了具有局部近似線性陣列的穿線位錯(cuò)圖案的高質(zhì)量氨熱第第III族金屬氮化物晶體、制造高質(zhì)量氨熱第III族金屬氮化物晶體的方法以及使用這種晶體的方法。這些晶體可用于晶種本體晶體生長(zhǎng),并可用作發(fā)光二極管、激光二極管、晶體管、光電檢測(cè)器、
太陽能電池和用于氫氣產(chǎn)生裝置的光
電化學(xué)水分解的襯底。
聲明:
“高質(zhì)量第III族金屬氮化物晶種及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)