本發(fā)明公開了一種去除阻擋層和介質層中污染物顆粒的方法,采用明場掃描方法BFI檢測出第一阻擋層、第一介質層、第二阻擋層、第二介質層或第三阻擋層中摻雜有污染物顆粒的晶圓后,該方法包括:采用化學機械研磨工藝CMP依次去除第三阻擋層、第二介質層、第二阻擋層、第一介質層和第一阻擋層。采用該方法能夠降低半導體器件的生產(chǎn)成本。
聲明:
“去除阻擋層和介質層中污染物顆粒的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)