本發(fā)明公開了一種基于四氧化三鈷納米線陣列的酒精氣體傳感器,該酒精氣體傳感器包括絕緣基片、電極層和傳感導(dǎo)電體,所述的傳感導(dǎo)電體是由水熱法直接生長于絕緣基片上的四氧化三鈷納米陣列構(gòu)成。本發(fā)明還提供了所述酒精氣體傳感器的制備方法,首先采用公知的熱蒸發(fā)、濺射或化學(xué)蒸發(fā)沉積鍍膜技術(shù)將電極層材料沉積在絕緣基片的兩端,并控制其厚度;然后利用水熱法直接在絕緣基片上生長四氧化三鈷納米陣列,作為該氣體傳感器的傳感導(dǎo)電體。該制備過程產(chǎn)物結(jié)晶性好,生產(chǎn)周期短,沒有污染,且避免了分散或操縱
納米材料的困難,便于工業(yè)化生產(chǎn);且得到的氣體傳感器對酒精檢測有優(yōu)異的靈敏度,并表現(xiàn)出較好的選擇性、穩(wěn)定性和重復(fù)性。
聲明:
“基于四氧化三鈷納米線陣列的酒精氣體傳感器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)