本發(fā)明涉及基于全二維半導(dǎo)體材料的雙極性光電晶體管及其制備方法和應(yīng)用，其采用微機(jī)械剝離法、化學(xué)/物理氣相沉積法在SiO₂/Si襯底上制備全二維過(guò)渡金屬硫族化物(TMDs)半導(dǎo)體層，在半導(dǎo)體層的兩端制備Ti/Au電極，隨后在TMDs溝道的局部位置沉積介質(zhì)層；之后對(duì)未覆蓋介質(zhì)層的TMDs溝道進(jìn)行P型摻雜，獲得雙極性N?P?N或P?N?P的器件結(jié)構(gòu)。本發(fā)明采用全二維TMDs，通過(guò)化學(xué)局部摻雜的辦法獲得了雙極性光電晶體管結(jié)構(gòu)，解決了純TMDs探測(cè)器中響應(yīng)速度慢、靈敏度低等問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)10³的光增益、響應(yīng)時(shí)間在ms量級(jí)、探測(cè)率接近10¹²瓊斯，其性能可比于商用的Si基探測(cè)器，同時(shí)制備方法簡(jiǎn)單，技術(shù)成熟，成本低廉，非常有利于商業(yè)化推廣。