本發(fā)明提供了一種高亮度發(fā)光二極管
芯片的制備方法,是將半切工藝用光刻腐蝕法替代,用光刻膠作腐蝕保護(hù)層,通過選擇性曝光、顯影、化學(xué)腐蝕的方法,完成共GAAS襯底負(fù)極,分離發(fā)光二極管芯片的正極。具體方法是發(fā)光二極管芯片在完成常規(guī)工藝后,在測試前進(jìn)行以下步驟:(1)勻膠;(2)烘烤;(3)曝光:(4)顯影;(5)烘烤;(6)腐蝕。本發(fā)明采用化學(xué)腐蝕方法完全替代了常規(guī)工藝中的“半切”,只需對芯片進(jìn)行最后完全分離時的切割,完全不接觸PN結(jié)面,避免了對PN結(jié)硬性的損傷,提高了器件的合格率,生產(chǎn)效率提高了一倍?;瘜W(xué)腐蝕形成的PN結(jié)發(fā)光區(qū)為光亮完整的碗狀臺面,有利于向四周發(fā)射的光出射,LED芯片的發(fā)光亮度比常規(guī)方法能增加10%。
聲明:
“高亮度發(fā)光二極管芯片的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)