本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體單晶硅晶棒及硅片參考面的加工方法,首先在晶棒上截取樣片,將樣片進(jìn)行表面化學(xué)各項(xiàng)異性腐蝕、清洗后烘干;觀察表面腐蝕形狀;根據(jù)不同晶向的形狀和方位在樣片上標(biāo)記出主參考面的指示線;將帶有定位線和主參考面指示線的樣片與原有晶棒進(jìn)行位置比對(duì),標(biāo)記出晶棒上主參考面的指示線;利用晶向測(cè)試儀,在單晶硅晶棒指示線附近查找主參考面<110>晶向峰值,準(zhǔn)確確定位置并做好標(biāo)記并進(jìn)行參考面加工。硅片直接在表面進(jìn)行化學(xué)各項(xiàng)異性腐蝕及后續(xù)的處理即可。本發(fā)明充分利用晶體各向異性在化學(xué)腐蝕中的反應(yīng)速率差異形成腐蝕形狀來(lái)判定單晶硅及硅片主參考面位置,具有判斷準(zhǔn)確,操作簡(jiǎn)單,且易于產(chǎn)業(yè)化實(shí)現(xiàn)。
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“半導(dǎo)體單晶硅晶棒及硅片參考面的加工方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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