本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體光刻方法,包括先在半導(dǎo)體硅上生成氮化硅,之后在氮化硅上面涂光刻膠并進(jìn)行光刻得到溝道,然后去除光刻膠,再在器件表面鍍上二氧化硅,在二氧化硅上特定的區(qū)域中填充許多規(guī)則排列的點狀輔助標(biāo)記,之后根據(jù)所述輔助標(biāo)記的位置用刻蝕和化學(xué)機(jī)械拋光的工藝去除氮化硅層、二氧化硅層和上面的輔助標(biāo)記,最后在溝道間涂布光刻膠并進(jìn)行后續(xù)工藝。本發(fā)明通過添加輔助標(biāo)記的方式,大大降低了CMP工藝對套刻測量的影響,保證了套刻測量的準(zhǔn)確性,從而提高了
芯片的成品率。
聲明:
“半導(dǎo)體光刻方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)