本發(fā)明提供了一種丙烯氫氣氧氣氛圍下環(huán)氧化制備環(huán)氧丙烷的鈦硅材料及其制備方法,所述鈦硅材料由鈦源與二氧化硅混合均勻后在800至1000攝氏度下進(jìn)行高溫焙燒處理,并調(diào)控鈦源的負(fù)載次數(shù),得到鈦在二氧化硅表面高度分散的鈦硅材料,且其中鈦以四配位骨架鈦形式存在,不含有銳鈦礦。將制備的鈦硅材料應(yīng)用于丙烯氫氣氧氣氛圍下環(huán)氧化制備環(huán)氧丙烷工藝時,各項(xiàng)性能均優(yōu)于焙燒后的鈦硅分子篩,且穩(wěn)定性更優(yōu)。
聲明:
“用于丙烯氫氧環(huán)氧化制備環(huán)氧丙烷的鈦硅材料及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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