本發(fā)明公開了一種CMP分步研磨的方法,包括如下步驟:第一步,采用高轉(zhuǎn)速低壓力的化學(xué)機(jī)械研磨條件對(duì)產(chǎn)品硅片進(jìn)行第一次研磨,來減小前膜膜厚,圖形分布帶來的差異;第二步,進(jìn)行前膜測(cè)定,測(cè)定結(jié)果作為第二次研磨的依據(jù);第三步,采用低轉(zhuǎn)速高壓力的化學(xué)機(jī)械研磨條件對(duì)產(chǎn)品硅片進(jìn)行第二次研磨,通過減少研磨時(shí)間來減小因消耗品壽命變化帶來的膜厚波動(dòng);第四步,進(jìn)行最終殘膜測(cè)定。該方法能減小產(chǎn)品差異或研磨速率波動(dòng)帶來的殘膜膜厚異常。
聲明:
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