本發(fā)明屬于
納米材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種碲化鉛納米線薄膜及其制備方法與應(yīng)用。該碲化鉛納米線薄膜采用無(wú)模板
電化學(xué)原子層沉積法進(jìn)行制備,具體包括以下步驟:以氫氧化鈉溶液為溶劑,配制二氧化碲溶液和硝酸鉛溶液;采用磁控濺射設(shè)備于二氧化硅片上鍍金,制得金襯底;將二氧化碲溶液和硝酸鉛溶液以體積比2:3分別倒入電解池匯總,采用電化學(xué)工作站和三電極體系在金襯底上進(jìn)行恒電位沉積實(shí)驗(yàn),鉛原子和碲原子逐層生長(zhǎng),制得單晶碲化鉛納米線薄膜。該方法操作簡(jiǎn)單,無(wú)需大型設(shè)備,在制備碲化鉛納米線時(shí)無(wú)需采用模板,節(jié)約了模板成本,并且利用該方法制備的碲化鉛納米線制作光電探測(cè)器,該光電探測(cè)器具有較高的響應(yīng)度,探測(cè)率及響應(yīng)速度。
聲明:
“碲化鉛納米線薄膜及其制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)