本發(fā)明涉及以α-Fe2O3為光吸收層,F(xiàn)e3O4,F(xiàn)eO和Fe作為導(dǎo)電基底光陽(yáng)極及其制備方法。采用直接高溫快速氧化方法,制得同時(shí)包含導(dǎo)電基底的有或者無(wú)摻雜α-Fe2O3光陽(yáng)極。作為光活性層的有或者無(wú)摻雜的α-Fe2O3與導(dǎo)電基底緊密接觸,具有良好的光電催化活性,在AM1.5標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下,相對(duì)于可逆氫電極1.23V,可達(dá)0.63mA/cm2。不同于已公開(kāi)報(bào)道的方法,該方法原料廉價(jià)易得,整個(gè)光電極制備過(guò)程快捷,易于大批量制備。該光電極可用于光
電化學(xué)利用分解水制氫氣、還原二氧化碳以及光催化降解有機(jī)物等用途。
聲明:
“α-Fe2O3的光陽(yáng)極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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