本發(fā)明涉及一種低水峰光纖的制造方法,特別涉及一種采用改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積(MCVD)工藝制造低水峰光纖的方法,采用本發(fā)明方法所制造出的單模光纖在1310nm波長處的衰減系數(shù)小于0.320 dB/km,氫老化試驗后測量1383nm波長處的羥基峰衰減系數(shù)小于1310nm波長處的衰減系數(shù),其衰減系數(shù)小于0.310dB/km。
聲明:
“低水峰光纖的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)