一種薄膜瞬時(shí)應(yīng)力的計(jì)算方法,包括下述的步驟:在基底上進(jìn)行薄膜沉積試驗(yàn),并實(shí)時(shí)測量基底曲率半徑R與沉積層厚度h
f;根據(jù)下式計(jì)算第i時(shí)刻的薄膜瞬時(shí)應(yīng)力σ
fi。本發(fā)明可適用于基底和薄膜不同彈性模量比及厚度比情況下的應(yīng)力計(jì)算,在電沉積過程中可以準(zhǔn)確顯示初始階段的應(yīng)力變化,可精確得到整個(gè)厚度上每一個(gè)采樣點(diǎn)的瞬時(shí)應(yīng)力,結(jié)果更準(zhǔn)確,適用于
電化學(xué)沉積、CVD氣相沉積、表面噴涂等領(lǐng)域的薄膜應(yīng)力計(jì)算。
聲明:
“薄膜瞬時(shí)應(yīng)力的計(jì)算方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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