本發(fā)明公開了一類噻吩橋聯(lián)四胺芘空穴傳輸材料及制備方法與應(yīng)用。所述噻吩橋聯(lián)四胺芘空穴傳輸材料的結(jié)構(gòu)式如式I所示。該類空穴傳輸材料具有噻吩橋聯(lián)的三芳胺結(jié)構(gòu)單元,其在有機溶劑中溶解性好及成膜性好,大的共軛平面結(jié)構(gòu)可有效提升材料的空穴遷移率,且制備成本低。通過光物理性質(zhì)、
電化學(xué)性能和熱穩(wěn)定性測試表明,所述空穴傳輸材料熱穩(wěn)定性好,能級與
鈣鈦礦能級相匹配。將其作為空穴傳輸層應(yīng)用于鈣鈦礦
太陽能電池中,具有良好的光電轉(zhuǎn)換效率。
聲明:
“噻吩橋聯(lián)四胺芘空穴傳輸材料及其在鈣鈦礦太陽能電池中的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)