本發(fā)明涉及納米晶體金屬材料，具體地說是一種 超高強(qiáng)度超高導(dǎo)電性納米孿晶銅材料及制備方法。利用電解沉 積技術(shù)制備，制備出高純度的多晶體Cu材料，其微觀結(jié)構(gòu)由 近于等軸的亞微米300～1000nm晶粒組成，在晶粒內(nèi)部存在高 密度的不同取向的孿晶片層結(jié)構(gòu)，取向相同的孿晶片層之間相 互平行，孿晶片層的厚度從幾個(gè)納米到100nm，其長度為100～ 500nm。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，性能優(yōu)異。該材料室溫拉伸 時(shí)屈服強(qiáng)度可達(dá)900MPa，斷裂強(qiáng)度可達(dá)1086MPa，這種超高 強(qiáng)度是在利用其它多種方法制備的相同化學(xué)成分的銅材料所 不可及的。同時(shí)，低溫電阻測(cè)試發(fā)現(xiàn)，該材料的導(dǎo)電能力非常 好，接近于普通粗晶體銅材料的導(dǎo)電率，其室溫電阻率為1.75±0.02×10－8Ω·m，相當(dāng)于96％IACS。