本實(shí)用新型公開了一種有效提高薄膜密度的卷對(duì)卷電子束鍍膜設(shè)備,包括位于上方的卷繞室、下方的鍍膜室。鍍膜室與卷繞室通過鍍膜主輥旁邊的縫隙相連，所述卷繞室內(nèi)設(shè)有卷繞系統(tǒng)、在線膜厚測(cè)試儀、等離子預(yù)處理系統(tǒng)，所述卷繞室頂部連有抽真空系統(tǒng)，所述鍍膜室內(nèi)設(shè)有電子槍系統(tǒng)、等離子體輔助系統(tǒng)、等離子監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、晶振儀、蒸發(fā)坩堝、偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)系統(tǒng)。本實(shí)用新型能夠有效克服成膜粒子在基底上遷移能力差所引起的致密度差的問題，具有蒸發(fā)速度快，成膜質(zhì)量高的特點(diǎn)，還能有效地解決由于電子束的高能量改變沉積薄膜的化學(xué)計(jì)量比導(dǎo)致的阻隔性能的變差的缺點(diǎn)，利用反應(yīng)性氣體將金屬元素轉(zhuǎn)化為化學(xué)計(jì)量比穩(wěn)定的高阻隔氧化物層，有效提高薄膜密度。