本發(fā)明公開了一種摻鈰及摻鉺的硅酸鐿閃爍晶體及其制備方法,在該方法中,我們采用基于提拉法的制備方法生長(zhǎng)出化學(xué)式為Ce
x:Er
2y:Yb
2(1?y)Si
(1?x)O
5的摻鈰及摻鉺的硅酸鐿閃爍晶體,其中0.0025≤x≤0.01,0.04≤y≤0.6,與傳統(tǒng)的硅酸鹽閃爍晶體相比,摻鈰及摻鉺的硅酸鐿閃爍晶體光產(chǎn)額更大,熒光衰減時(shí)間短,對(duì)γ射線具有更好的探測(cè)效率,化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、不潮解、機(jī)械強(qiáng)度好,同時(shí)鐿價(jià)格是镥價(jià)格的2%,但原子序數(shù)只少1,有望獲得性能與LSO相近的閃爍晶體,而價(jià)格低一個(gè)數(shù)量級(jí)以上。
聲明:
“摻鈰及摻鉺的硅酸鐿閃爍晶體及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)