本發(fā)明涉及一種(InxGa1?x)2O3寬禁帶
半導體材料的制備方法及其應用,包括以下步驟:步驟1、氧化鎵、氧化銦和碳粉混合粉末的制備;步驟2、通過化學氣相沉積法(CVD)實現(xiàn)(InxGa1?x)2O3寬禁帶半導體材料的制備(0
聲明:
“(InxGa1-x)2O3寬禁帶半導體材料的制備方法及其應用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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