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利用鉍離子注入非晶硅基功能薄膜實(shí)現(xiàn)硅基材料近紅外光發(fā)射的方法

673   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:23:04
利用鉍離子注入非晶硅基功能薄膜實(shí)現(xiàn)硅基材料近紅外光發(fā)射的方法,包含以下步驟;1)利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積技術(shù)制備非晶硅基薄膜;2)鉍離子注入非晶硅基薄膜,鉍離子注入時(shí),襯底的溫度為室溫,注入能量為200±50KeV,鉍離子注入劑量范圍從1×1012/cm2到1×1014/cm2;經(jīng)過(guò)以上兩個(gè)步驟就可以制備不同劑量鉍離子注入的非晶硅氮氧薄膜或非晶富硅二氧化硅薄膜。本發(fā)明利用平板電容型射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)技術(shù)和離子注入技術(shù)在非晶硅基薄膜中注入不同劑量的鉍離子。成功觀測(cè)到穩(wěn)定、高效的1157nm處穩(wěn)定高效的近紅外光致發(fā)光。
聲明:
“利用鉍離子注入非晶硅基功能薄膜實(shí)現(xiàn)硅基材料近紅外光發(fā)射的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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