本發(fā)明提供一種掩膜金屬誘導(dǎo)晶化的
多晶硅薄膜晶體管的制備方法,包括:連續(xù)橫向區(qū)域的多晶硅薄膜去除鎳硅氧化物、納米二氧化硅層和化學(xué)氧化層,以Freckle刻蝕液濕刻成有源硅島,通過低壓化學(xué)氣相沉的方法在425℃下沉積50納米厚的低溫氧化物作為柵極絕緣層;形成柵電極,將硼以4×1015/cm2計(jì)量離子注入源極和漏極;以LPCVD的方法沉積500nm的氧化物作為絕緣層并在柵極、源極和漏極區(qū)域上開電極接觸孔;濺射700納米厚的含1%Si的鋁光刻形成測試電極,在氫氣與氮?dú)獾暮铣蓺怏w中420℃下燒結(jié)30分鐘以形成良好的歐姆接觸,同時(shí)活化摻雜物。
聲明:
“多晶硅薄膜晶體管的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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