本發(fā)明提供了一種硅基光子材料器件制備方法,具體包括以下步驟:a)通過特殊方式加工制作出具有高密度和小尺寸的有序硅納米晶粒;b)通過光刻工藝的方式對晶粒進行加工;c)采用UHV/CVD在硅襯底上生長Ge量子點;d)對加工過后的晶粒摻雜化學混合元素;e)利用步驟d)制備得到的晶粒形成光開關陣列構成光波導開關;f)化學研磨與物理成型;g)對加工出的硅基光子電路板進行晶粒探針測試。本發(fā)明的制備方法可獲得熱導性好、電學性能好的硅基光子材料器件,且制備方法簡單、成本低廉、工藝可靠。
聲明:
“硅基光子材料器件制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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