本發(fā)明公開了一種WO3?x?WS2一維?二維異質(zhì)結(jié)、制備方法及應(yīng)用,制備方法包括以下步驟:步驟1:將偏鎢酸銨和硫粉放置在化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔體的加熱區(qū);偏鎢酸銨和硫粉之間設(shè)置有爐塞;步驟2:將反應(yīng)腔體填充保護(hù)氣氛;步驟3:在保護(hù)氣氛條件下,以10~30℃/min的速率升溫至400~700℃,然后以10℃/min的速率升溫至1100~1500℃,保溫20~40min,隨爐冷卻至室溫,設(shè)置在偏鎢酸銨一側(cè)的基底上得到所需異質(zhì)結(jié)構(gòu);本發(fā)明通過制備工藝簡(jiǎn)單的一步化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)方法構(gòu)建了WO3?x?WS2一維?二維異質(zhì)結(jié)構(gòu),在單層WS2二維納米片上生長(zhǎng)了高度約為7.1nm的WO3?x一維納米線;該異質(zhì)結(jié)具有優(yōu)異的光電探測(cè)性能。
聲明:
“WO3-x-WS2一維-二維異質(zhì)結(jié)、制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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