本發(fā)明公開了一種GaAs單晶位錯坑的腐蝕方法及腐蝕液配方,涉及化學(xué)工藝技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括:將包括晶向偏轉(zhuǎn)角在預(yù)設(shè)偏轉(zhuǎn)角范圍內(nèi)的待測GaAs{100}晶片的觀察面進(jìn)行拋光處理,獲得待測晶片;按照預(yù)設(shè)比例配制氫氟酸、雙氧水、去離子水的混合液為腐蝕液,并將其置于腐蝕槽中;將腐蝕槽置于有冰水混合物的水浴鍋內(nèi),并維持腐蝕槽內(nèi)腐蝕液溫度在3~8℃范圍內(nèi);開啟光源,使光照射在所述腐蝕槽底部;將待測晶片置于鏤空底座上,并將鏤空底座放入所述腐蝕槽內(nèi),使鏤空底座上的待測晶片處于腐蝕槽中冷光源的照射范圍內(nèi),并令腐蝕液浸沒待測晶片,反應(yīng)30~50分鐘。本發(fā)明能避免腐蝕過程中晶片碎裂,以及能夠降低腐蝕掉量。
聲明:
“砷化鎵單晶位錯坑的腐蝕方法及腐蝕液配方” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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