本發(fā)明公開了一種具有雙穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)的肖特基二極管設(shè)計(jì)方法,步驟包括:從銅體相中得到純凈的Cu(111)表面;利用DFT計(jì)算方法對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化得到其晶格常數(shù),并與實(shí)驗(yàn)值比較;構(gòu)建出anthradithiophene(ADT)分子,并對(duì)其進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化;再將優(yōu)化好的ADT分子放在優(yōu)化好的Cu(111)面的多種不同位置上,分別對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化;檢查優(yōu)化好的結(jié)果,并且找出能夠穩(wěn)定存在的結(jié)構(gòu);單獨(dú)計(jì)算吸附前優(yōu)化好的ADT分子的禁帶寬以及界面偶極得到其肖特基高度。本發(fā)明通過新穎而又精確的DFT計(jì)算方法,結(jié)合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),使得設(shè)計(jì)出的肖特基二極管穩(wěn)定性高,肖特基能壘低,且兼具物理和化學(xué)吸附的雙重優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“具有雙穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)的肖特基二極管設(shè)計(jì)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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