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基于超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)的像素級片上光譜芯片工藝制備方法

797 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:56:36

本發(fā)明公開了一種基于超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)的像素級片上光譜芯片工藝制備方法，采用紫外光刻、擴散、電子束蒸發(fā)鍍膜、刻蝕等工藝在InP/InGaAs/InP材料上制備寬波段InGaAs光敏元，采用納米壓印、反應離子刻蝕、低壓化學沉積等工藝片上集成制備像素級微濾光面陣，微濾光單元與光敏元一一對應，最后采用倒裝互聯(lián)焊接工藝將讀出電路與寬波段InGaAs光敏元集成微濾光面陣精準對接互聯(lián)。本發(fā)明的有益效果：適用于光譜成像儀小型化需求，實現(xiàn)精細的圖譜信息采集，根據(jù)不同觀測物特征波長設計制備多通道窄帶濾光片，實現(xiàn)對不同被測目標的光譜成像，兼容MEMS工藝制備，其次采用納米壓印工藝使批量制備成本低，有利于推廣應用。

聲明：

“基于超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)的像素級片上光譜芯片工藝制備方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)