本申請(qǐng)?zhí)峁┮环NM i cro?LED器件制備方法。該方法針對(duì)利用干法刻蝕制備Micro?LED晶粒結(jié)構(gòu)引發(fā)的產(chǎn)生側(cè)壁損傷的問(wèn)題進(jìn)行改進(jìn)。提出使用四甲基氫氧化銨化學(xué)腐蝕和側(cè)壁鈍化相結(jié)合的方式對(duì)其進(jìn)行側(cè)壁修復(fù)，能沿縱向腐蝕完M i cro?LED側(cè)壁的非晶區(qū)，沿橫向M i cro?LED結(jié)構(gòu)破壞性較弱，腐蝕后的樣品側(cè)壁晶格完整且側(cè)壁垂直；Micro?LED晶粒形成之后，通過(guò)激光共聚焦顯微鏡與光致發(fā)光光譜相結(jié)合的光學(xué)評(píng)價(jià)方式對(duì)其進(jìn)行早期性能評(píng)估，在封裝之后對(duì)M i cro?LED器件的電學(xué)性能進(jìn)行測(cè)試，將電學(xué)性能測(cè)試結(jié)果與早期發(fā)光性能評(píng)估相對(duì)照。本申請(qǐng)實(shí)能有效處理M i cro?LED側(cè)壁損傷層，豎直化M i cro?LED側(cè)壁，解決干法刻蝕后側(cè)壁傾斜導(dǎo)致的量子阱上下區(qū)域面積不一致的問(wèn)題。