本發(fā)明公開(kāi)了一種高度取向的ZnO納米錐陣列的濕化學(xué)生長(zhǎng)方法,采用旋涂鍍膜法將ZnO溶膠涂敷在基底上,經(jīng)熱處理制備一層均勻的納米級(jí)ZnO晶種層;用KOH和Zn(NO3)2配制ZnO陣列生長(zhǎng)液;將基底生長(zhǎng)面(即含有晶種層的面)懸空倒扣浸沒(méi)于上述生長(zhǎng)液中,在20~50℃水浴條件下,反應(yīng)1~12h,在所述的基底上制備ZnO納米錐陣列。該方法具有設(shè)備及工藝簡(jiǎn)單、易操作、成本低和適合工業(yè)化生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明制備出的ZnO納米錐陣列具有高度致密、粗細(xì)均勻、取向性好、平整度高、性能穩(wěn)定、與基底結(jié)合牢固等特點(diǎn),在超疏水表面、探測(cè)器、壓電變頻器、紫外激光和
太陽(yáng)能電池等方面有廣闊的應(yīng)用前景和巨大的市場(chǎng)效益。
聲明:
“高度取向ZnO納米錐陣列結(jié)構(gòu)材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)