本發(fā)明提供了一種指紋傳感器及其制造方法。該指紋傳感器包括:一金屬導(dǎo)電層;一界面介電層,形成于金屬導(dǎo)電層的上方;一金屬氧化物層,形成于金屬導(dǎo)電層的上方;一富硅介電層,形成于金屬氧化物層的上方,富硅介電層用以感測光線而產(chǎn)生光電流;以及一透明導(dǎo)電層,形成于富硅介電層的上方。相比于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明在富硅介電層的下方增設(shè)一金屬氧化物層,利用該金屬氧化物層作為緩沖來降低暗電流,進(jìn)而增加指紋傳感器的靈敏度。此外,本發(fā)明采用化學(xué)氣相沉積工藝形成富硅介電層時可同步對金屬導(dǎo)電層進(jìn)行等離子體表面處理從而形成金屬氧化物層,因此并不會增加原有的PEP數(shù)目。
聲明:
“指紋傳感器及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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