本發(fā)明提供一種改善層間介質(zhì)層研磨后返工工藝的方法,用于對層間介質(zhì)層研磨后的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行返工,所述層間介質(zhì)層被過量研磨,所述層間介質(zhì)層具有目標(biāo)厚度,包括:測量所述層間介質(zhì)層的實(shí)際厚度;根據(jù)所述層間介質(zhì)層的實(shí)際厚度與所述層間介質(zhì)層的目標(biāo)厚度的差異,獲得補(bǔ)償膜層的厚度,所述補(bǔ)償膜層用于覆蓋所述層間介質(zhì)層的表面;獲得覆蓋膜層的目標(biāo)厚度,所述覆蓋膜用于覆蓋所述補(bǔ)償膜層的表面;根據(jù)所述補(bǔ)償膜層與所述覆蓋膜層的厚度之和,進(jìn)行一次沉積工藝,形成所述補(bǔ)償膜層和覆蓋膜層。本發(fā)明減少了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝給下方的層間介質(zhì)層帶來的損傷,減少了研磨誤差帶來的器件性能漂移。
聲明:
“改善層間介質(zhì)層研磨返工工藝的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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